朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测_绝影RGB DDR4-4266内存怎么样[多图]

朗科的绝影系列RGB内存是面向电竞用户打造的高端产品，虽然内存现在已经在逐渐向DDR5过渡，但DDR4在很长一段时间内依然是市场主流，朗科也不断丰富自己的DDR4内存产品线，绝影RGB DDR4-4266套装，用国产长鑫颗粒，这也是目前国产颗粒中的最高规格。一起来看看朗科绝影RGB DDR4-4266内存的详细评测吧~

一、前言：超越三星B-Die的国产长鑫A-Die颗粒

4266MHz频率的DDR4内存并不少，但是能在能做到4266MHz C18同时将电压控制在1.35V的，大名鼎鼎的三星B-Die不行，海力士DJR不行，美光B-Die同样也不行。

唯一能够做到的，也许你绝对想象不到，会是国产的长鑫A-Die颗粒！

近段时间，朗科推出了基于长鑫A-Die颗粒的绝影RGB DDR4-4266内存，时序CL18-22-22-42，电压1.35V。

朗科绝影RGB DDR4 4266MHz内存的时序和电压已经足够低了，在这个基础上，它还拥有令人咋舌的超频能力，其超频能力之强，令特挑的三星B-Die也望尘莫及。

关于超频，我们在后面的篇幅会进行非常详尽的介绍和测试。

除了强劲的超频能力之外，绝影RGB DDR4内存在灯光效果方面也非常用心。

朗科在内存的PCB板上集成了一颗ENE 6K5830UA0芯片，用于控制灯效，可以实现神光同步，也能让玩家自由设置RGB灯效。

目前市面上绝大多数支持RGB灯效的内存都没有专门的控制芯片，也就是说无法让玩家控制灯效，当然也无法做到神光同步效果。

朗科绝影RGB DDR4 4266MHz内存参数如下：

二、外观：电镀银工艺+ RGB灯效赏析

朗科绝影RGB DDR4采用对称式设计理念，散热马甲采用的是0.8mm 5052铝材，经冲压一体成型，最后再使用电镀银工艺进行处理，

中间是绝影Logo。

顶部的导光柱也做了电镀银处理，整条内存看上去浑然一体。

内存采用单面设计，一面有8颗内存颗粒。

另一面是空的。

特挑的长鑫A-Die颗粒。

放在鑫谷斜杠青年mini机箱内的装机效果图。

三、超频测试：1.35V稳超4600C19

测试平台如下：

1、性能测试

CPU-Z可以检测出一部分参数，朗科制造、长鑫颗粒。

内置有2组XMP参数，分别是4266MHz 19-26-26-46和4266MHz 18-22-22-42，电压都是1.35V。

2组XMP设置分别组了测试，以下测试都是基于Gear 2模式。

4266MHz 18-22-22-42 下，内存读取、写入复制带宽分别为62GB/s、61.7GB/s、58GB/s，延迟55.1ns。

4266MHz 19-26-26-46下，写入复制带宽分别为61GB/s、61.5GB/s、57GB/s，延迟62.3ns。

这里的读写速度变化不大，主要是延迟增加了不少，从55.1ns直接到了62.3ns。

2、超频测试

在XMP1模式下超频到4600MHz时，时序不变，电压依旧是1.35V，VCCIO与VCCSA电压自动，分别为1.056V和1.312V。

实测内存读取、写入、复制速度分别为65.8GB/s、66GB/s、62GB/s，延迟54.2ns。

超频到4800MHz时，时序还是19-26-26-46，但需要将电压加到1.45V才能稳定，VCCIO与VCCSA电压依然是1.056V和1.312V。

实测内存读取、写入、复制带宽分别是69GB/s、69GB/s、64.5GB/s，延迟为52.5ns。

3、稳定性测试

使用Memtest Pro 4.3测试超频后的稳定性，运行了近2个小时，进度达到了270%依然是0报错，证明了朗科绝影RGB DDR4-4266内存可以在1.45V的电压下能稳定在4800MHz C19频率下运行。

四、总结：高频低时序DDR4会是游戏玩家首选

随着DDR5时代的来临，DDR4内存看似已经出沦为明日黄花，但是如今DDR5内存也有明显的缺点。

第一是价格太贵，就算是如今价格大降之后，其售价依然是同容量DDR4内存的1.5~2倍。

第二是延迟太高，DDR5内存大都CL40起步，过高的时序和延迟导致即便是5200MHz频率的DDR5内存，其游戏性能也仅仅只是与低时序的DDR4 3600MHz相当。

考虑到12代酷睿和未来的13代酷睿处理器依旧支持DDR4内存，而高频的DDR4内存凭借其极低的延迟，游戏性能可以轻松碾压DDR5，所以近一两年对于游戏玩家来说，仍然可以优先考虑高频低时序的DDR4内存。

再来说说朗科绝影RGB DDR4-4266内存。

1.35V 4266MHz C18已经令人叹为观止了，然而经过超频我们发现，它竟然能在1.35V电压下超频到4600MHz C19。

单论这个成绩，可以花式吊打各类特挑的B-Die、CJR、DJR内存，长鑫颗粒能够做到这样的程度，是我们先前没有想到的。

三星B-Die要达到同样的频率和时序，可能需要1.5V、1.6V甚至更高的电压。

如果继续往上超，绝影DDR4 4266MHz内存需要1.45V的电压才能到4800MHz C19，此时内存的读写带宽已经逼近70GB/s，而延迟更是只有52ns。

相比之下，DDR5 4800MHz C40的带宽虽然也有70GB/s，但其延迟则高达85ns，游戏性能被4800C19的DDR4内存甩了几条街。

当前，如果12代酷睿是追求极致的游戏性能，显然高频的DDR4内存会是更合适的选择。